廠商在選擇MOS管時(shí)，需要考慮它的參數(shù)問題。在使用過程中，不同的產(chǎn)品需要使用不同參數(shù)的MOS管，這些參數(shù)大同小異，但又不能不注意。而在它的參數(shù)選擇上，也只有經(jīng)過雙方的交流及反復(fù)確認(rèn)才能決定下來。今天，MOS管廠家飛虹小編就為了幫助大家了解MOS管，分享下它的參數(shù)含義。

BVdss是源漏擊穿電壓，在柵源短接，漏-源額定電壓（VDSS）是指漏-源未發(fā)生雪崩擊穿前所能施加的最大電壓。根據(jù)溫度的不同，實(shí)際雪崩擊穿電壓可能低于額定VDSS，所以在使用的時(shí)候注意不要超過這個(gè)電壓。在選購的時(shí)候需要注意的是，通常BVdss越大，溝道的電阻也大，所以不要選遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過要求，廣州MOS管廠家不然功耗會(huì)浪費(fèi)掉。Vds就是普通的源漏電壓，通常用畫在Ids-Vds圖上。

VGS 最大柵源電壓

VGS額定電壓是柵源兩極間可以施加的最大電壓。設(shè)定該額定電壓的主要目的是防止電壓過高導(dǎo)致的柵氧化層損傷。實(shí)際柵氧化層可承受的電壓遠(yuǎn)高于額定電壓，但是會(huì)隨制造工藝的不同而改變，因此保持VGS在額定電壓以內(nèi)可以保證應(yīng)用的可靠性。

ID - 連續(xù)漏電流

ID定義為芯片在最大額定結(jié)溫TJ（max）下，管表面溫度在25℃或者更高溫度下，可允許的最大連續(xù)直流電流。該參數(shù)為結(jié)與管殼之間額定熱阻RθJC和管殼溫度的函數(shù)。實(shí)際上，漏電流和漏源電壓的變化對柵電荷值影響比較小，廣州MOS管廠家而且柵電荷不隨溫度的變化。測試條件是規(guī)定好的。

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